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纳米InP-SiO2复合薄膜的制备和光学特性研究

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采用射频磁控共溅射与高真空退火相结合的方法,在单晶Si(100)上制备了InP-SiO2纳米晶镶嵌薄膜样品.在结构和光学性能上对薄膜进行了多方面的测试和分析,EDS表明复合膜中In和P元素基本符合化学配比;XRD和Raman谱都表明复合薄膜中形成了InP纳米晶粒,观测到了Raman峰的红移和宽化;通过拉曼散射光谱和光致发光谱对薄膜的发光机理进行研究.

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来源
《国际材料科学与工程学术研讨会》|2005年|51-54|共4页
会议地点太原
作者
马志华; 柴跃生; 张敏刚; 孙钢; 刘小鹏;
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作者单位

中国机械工程学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类特种结构材料;
关键词
射频磁控共溅射; 纳米晶薄膜; 拉曼散射光谱; 光致发光性能;
入库时间 2022-08-17 10:56:30

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