自己触媒VLS法によるInP/GaInAsコアマルチシェルナノワイヤの断面形状

摘要

MOVPEを用いたⅢ-Ⅴ族化合物半導体ナノヮ ィャの研究が盛んに行われている.その成長方法 の一つとして自己触媒VLS法が挙げられ,Au金 属を触媒とする代わりに自身のⅢ族元素を触媒 とすることでナノワイヤを成長することが出来 る.我々はこの手法を用いてInP(111)B基板 上にInPコアを形成した後にGaInAs/InPシェ ルを形成することでInP/ GaInAsコ了シェルナ ノワイヤを成長し，デバイス応用に向けた研究を 行っている.本報告では，基板加熱温度や GaInAs/InPシェルの周期を変化させてコアマ ルチシェルナノワイヤを成長し，断面形状の変化, 及びその考察について述べる.