量子化磁束径より大きなナノ析出物ピンを含む (RE)BCO 薄膜のJ_c(H, θ, T) に関する考察

摘要

筆者らは、YBCO 薄膜の臨界電流密度の磁界角度依存性 J_c(H, θ) 測定と透過電顕（TEM）観察による磁束ピン止め機構の解明を進めてきた。量子化磁束径より大きなナノ析出物が、中磁界領域 B = 0.5–2 T で c 軸中心のブロードなJ_c(θ) ピークをもたらすことを見出すとともに、要素的ピン力密度f_p の直接和によってピン止め力密度Fp とJ_c を計算して合理的な説明を与えた。このようなブロードピークは高磁界領域でつぶれてきて、いわゆるバタフライ形状のJc(θ) 曲線が出現する。今回、その起因について考察した。