三フッ化塩素ガスによる4H-SiC ウェハエッチング分布の均一化

摘要

半導体炭化ケイ素(SiC)は、エネルギー損失を低減するために電力制御用半導体に利用され始めている。既往の研究において、その製造工程におけるSiC ウェハのエッチングを高速化するため、三フッ化塩素(ClF3)ガスを用いて直径50 mm のSiC ウェハをエッチングする装置を作製し、検証してきた。その装置において、ガス分散盤の孔の大きさと配置に因ると考えられる、エッチング速度分布の不均一性という課題がある。本研究では、計算を用いたガス分散盤の設計の結果を基にして、孔径を3 mm から1.1mm に、孔配置を同心円状から格子状に変更することにより単結晶4H-SiC ウェハのエッチング速度分布の改善を試みたので、その結果を報告する。