Fraunhofer Institute for Reliability and Microintegration IZM-M, Munich branch of the institute, Hansastrasse 27 d, 80686 Munich, Germany;
electrostatic carrier substrates; reversible bonding; thin wafer processing; 'Smart Carrier';
机译:处理超薄晶圆:移动式静电载体使碰撞更容易
机译:使用化学剥离和室温直接晶片键合以及GaN晶片规模在ZnO缓冲蓝宝石上进行GaN晶片规模的MOVPE生长,从蓝宝石转移到玻璃基板的MOVPE GaN薄膜的结构和成分表征
机译:半导体晶体薄晶片中少数载流子扩散长度的测量
机译:静电载体基板的表征用作薄半导体晶片的支撑件
机译:使用激光红外光热辐射法测量半导体硅晶片中的载流子密度波深度轮廓图。
机译:晶圆级生长的范德华半导体原子薄的三维膜
机译:静电力显微镜对基板和尖端形状对薄膜表征的影响
机译:薄(周期正弦3 mIL)7070保护玻璃与Ta2O5 aR涂层薄(周期正弦2 mIL)硅晶片和太阳能电池的静电结合