Electronic Materials Research Laboratories, Nissan Chemical Industries, LTD., 635 Sasakura, Fuchu-Machi, Toyama 939-2792, Japan;
Wet Process Engineering, TOKYO ELECTRON KYUSHU LTD., 650 Mitsuzawa Hosaka-cho, Nirasaki-City, Yamanashi 407-0192, Japan;
CLEAN;
lithography; UV cross-link materials; XUV~(TM); planarization; dual damascene;
机译:通过第一个双镶嵌工艺在32-45nm的金属沟槽中进行图案化的紫外线交联间隙填充材料和平面化应用
机译:用于在32 nm技术节点中进行严格过程控制的高级光刻模型
机译:45nm和32 nm技术的两个阶段CMOS运算放大器的过程变化和优化
机译:32 - 45 nm光刻中先进平面化技术的UV交联过程的新方法
机译:具有45nm CMOS SOI技术的具有32:1串行器的2位1Gsps ADC阵列
机译:过硫酸盐/ UV-C工艺可对商用非离子表面活性剂辛基酚聚乙氧基化物Triton™X-45进行高级氧化:操作参数和动力学评估的影响
机译:通过过硫酸盐/ UV-C工艺对商业非离子表面活性剂辛基酚聚乙氧基化物TritonTm X-45进行高级氧化:操作参数的影响和动力学评价