Consortium for Advanced Semiconductor Materials Related Technologies (CASMAT) 1-280, Higashi-koigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-0014, Japan;
via first dual-damascene; resist poisoning; gap fill materials; chemical reaction; basic contamination;
机译:铜双大马士革互连在低k多孔膜上的直接化学机械抛光工艺
机译:非接触电极垫铜双大马士革贯穿硅的混合电化学机械平面化工艺
机译:193nm顶表面成像工艺的非化学放大抗蚀剂和化学放大抗蚀剂的光刻性能
机译:通过第一双镶嵌过程抗抵抗中毒问题的新化学方法
机译:无线传感器融合方法,用于监视化学机械平面化(CMP)过程。
机译:UHPLC-QTOF-MS-MS代谢组学方法研究不同的收获后加工方法对fr菜中化学成分的影响
机译:193nm顶表面成像过程的非化学放大抗蚀剂和化学放大抗蚀剂的光刻性能。
机译:均匀中子毒物在合并爱迪生燃料加工解决方案中的临界控制的化学可行性