Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc (Selete), 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki, 305-8569, Japan;
机译:通过闪光灯退火由非晶硅膜形成的多晶硅膜的电性能
机译:通过闪光灯退火在玻璃基板上形成高质量多晶硅膜的前体Cat-CVD a-Si膜
机译:通过催化化学气相沉积法制备的a-Si膜的闪光灯退火,在网纹玻璃基板上形成微米级厚度的多晶硅膜
机译:光学吸收碳膜和柔性脉冲闪光灯退火的改进模式效果
机译:闪光灯退火多晶硅的PMOS TFT工程源/通道/漏极区
机译:磁控溅射和闪光灯退火形成NiGe薄膜
机译:Cat-CVD a-Si膜的膜应力控制及其对闪光灯退火引起的爆炸结晶的影响