Department of Electronics, Kyushu University, 744 Motooka, Nishi-ku Fukuoka, 819-0395, Japan;
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机译:GOI厚度低至2 nm的极薄体绝缘体上Ge-MOSFET的载流子传输特性的实验研究
机译:锗凝结过程中绝缘体上锗(GOI)层中晶体缺陷的产生
机译:源极/漏极和沟道凹陷的超薄体绝缘体上绝缘子(GOI)无结CMOSFET中的总电离剂量(TID)效应
机译:生长方向依赖于绝缘体(GOI)的快速熔化生长及其在GE网眼增长的应用
机译:适用于大变形,历史依赖的岩土材料的平滑粒子流体动力学及其在构造变形中的应用。
机译:高性能P-I-N光电探测器在GE-Ins-Insulator平台上
机译:使用金属源/漏极触点进行模拟/混合信号应用的Ge-Insulator MOSFET的研究
机译:煤转化和生物质转换:第1卷:美国国际开发署(国际开发署)/ GOI(印度政府)替代能源和开发计划的最终报告