首页> 外文会议>Advanced Semiconductor Manufacturing Conference, 2007 IEEE/SEMI >Novel Process Control by Measurement of Silicon Lattice Damage
【24h】

Novel Process Control by Measurement of Silicon Lattice Damage

机译:通过测量硅晶格损伤的新型过程控制

获取原文

摘要

In this work, a novel SPC monitor of RTP temperature was developed where measurements are made directly on product. This technique significantly reduces test wafer costs while allowing real-time determination of functionality directly on the area of inter
机译:在这项工作中,开发了一种新颖的RTP温度SPC监视器,可以直接在产品上进行测量。该技术大大降低了测试晶圆的成本,同时允许直接在中间区域实时确定功能。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号