NAND circuits; flash memories; nanoelectronics; NAND flash devices; chip processes; flash-memory bits; manufacturing processes; memory cells; multilevel cells; nanoscale flash; physical structures; single-level cells; structural analysis;
机译:量子点浮栅对纳米尺度闪存细胞的性能评估和静态行为建模
机译:利用纳米级集成减少嵌入式闪存的位错和待机漏电流
机译:纳米级Nand闪存单元Wsi_x栅极上侧壁氧化的研究
机译:十年中期的纳米级闪存
机译:闪烁在高品位,低硫化超热矿床形成中的作用:以日本北海道奥姆营地为例
机译:十年中期人口普查
机译:十年内的AMISH定居点增长更新