State Key Laboratories of Transducer Technology, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences 200083, Shanghai,China;
P-GaN; surface treatment; Ⅰ-Ⅴ; XPS; AES; ohmic contact;
机译:使用(NH_4)_2S_x处理的低电阻率p型GaN上的透明Pt欧姆接触
机译:在p型GaN上具有高接触电阻率的高反射性MgAl合金/ Ag / Ru欧姆接触
机译:通过使用王水的表面处理在p型GaN上实现低透明的Pt欧姆接触
机译:使用双STPE表面处理对P型GaN的高质量非合金PT欧姆触点
机译:镍/金和钯/金欧姆接触与清洁的p型氮化镓(0001)表面之间形成的界面的电,化学和结构表征。
机译:AlGaN / GaN HEMT的优化Ti / Al / Ta / Au欧姆接触的电学表征和纳米级表面形貌
机译:使用两步表面处理对P型GaN的高质量非合金PT欧姆触点