Department of Electrical Engineering, University Center of FEI, Sao Bernardo do Campo, Sao Paulo, Brazil;
Department of Physics University Center of FEI, Sao Bernardo do Campo, Sao Paulo, Brazil;
Department of Electrical Engineering, University Center of FEI, Sao Bernardo do Campo, Sao Paulo, Brazil;
机译:通过在高温环境中使用八边形布局样式来提高SOI MOSFET的电气性能
机译:使用共形映射计算的菱形布局样式与传统的矩形布局样式相比,IC MOSFET组件的电性能有所提高
机译:创新的椭圆形布局样式可进一步提高MOSFET的电气性能
机译:使用波浪布局风格来提高放射性环境中的数字IC电气性能
机译:电动柴油机基于反应的建模与控制
机译:直流雾化盐雾环境下HTV硅橡胶的电强度和理化性能
机译:使用MOSFET的六角形布局风格促进电离辐射环境中的设备匹配