DMOAPとPI系配向膜によるHANセルの残留DC的効果を応用した長期メモリ性を有する液晶素子の検討

摘要

IoT化が急速に発展する中で、課題となるのが電力消費である。IoTで用いられるディスプレイは低消費電力でなければならため、継続的に電力を必要としないメモリ性のあるディスプレイが検討されている。本研究では、かつて液晶の垂直配向材として用いられていたDMOAP とポリイミド配向膜でハイブリッドタイプのネマティック液晶セルを構成すると、残留DCに似た特性が生じることを見出し、これを応用して表示メモリ性を付与することを目的に実験を行った。この現象は電圧を印加すると充電されたような特性が得られ、液晶セル電極をショートさせてもセル内の電荷はキャンセルされない。したがって、半永久的なメモリ性を付与することが期待できる。