ポーラスアルミナ上への低抵抗ZnO膜の作製

摘要

ReRAM は電極/金属酸化物/電極のサンドウィッチ構造をとり、電極間に電圧を印加することで生じる抵抗変化を利用したメモリである。また、ポーラスアルミナは透明でナノスケールの微細性、規則性、制御性を持っているため、金属酸化物膜として有用である。我々は、これまで、ポーラスアルミナ上に透明導電膜として注目されている無電解めっき法を用いてZnO膜を作製することで、透明なReRAMを作製することを試みた。しかし、ZnO膜の低導電性と粒径の大きさに問題があることがわかった。そこで、今回電気めっき法によりZnO/ Zn構造を作製し、アニール処理することでZnO膜中にZn原子を拡散させてZnO膜の低抵抗化を試みた。さらに、触媒核となる金属を付与することで、ZnO結晶の粒径減少も試みた。