ペロブスカイト系半導体と(チオフェン/フェニレン)コオリゴマーとのダブルヘテロ構造

摘要

溶液プロセスで作製可能な電流注入型有機半導体レーザーを実現するために、近年急速に研究が進展しているペロブスカイト系有機半導体での開発を進めている。今回、有機半導体で電流注入型の光増幅が報告されている(チオフェン/フェニレン)コオリゴマー(TPCO)とペロブスカイト系半導体とのダブルへテロ構造(DHS)を用いた EL 素子特性について報告する。TPCO 系半導体については、蒸着膜を用い、ペロブスカイト系半導体については、単結晶的薄膜が得られるCast-capping法を用いてEL素子を作製し、その特性について調べた。