Siナノピラー構造の間隔制御することによるフオノン場制御とキヤリァ輸送特性に与える影響

摘要

近年の高度情報化社会の発達によりIoT社会が到来し、そのセンサ用自立電源では、低環境負荷なSiを用いた熱電変換素子が注目されている。Si薄膜における熱電変換素子では、Siにナノ構造を形成することで、絶対性能指数(ZT)の向上が図られている。しかしながら、ボールミルやミキサーミリングでナノ材料を焼結し、ナノ構造を有するバルタ材料を形成するために、ロット間での材料特性のばらつきが大きく再現性を得ることが困難であるという問題がある。そこで本研究では、間隔を制御した無欠陥SiナノピラーをSi_(0.7)Ge_(0.3)で埋め込むことで起こる、熱伝導率異方性とキヤリア輸送特性に与える影響を検討した。