c面サファイア基板上Ni薄膜の熱処理結晶化のX線回折測定による評価

摘要

多層グラフェンを成長するための触媒としてNiが良く使用される。高品質なグラフェンを成長させるためには結晶性の高いNiを使用することが好ましい。以前、サファイア基板上のNi薄膜の結晶化に与える熱処理の効果を調べたところ、熱処理温度を630°Cから800°Cへと向上させることによりグレインサイズが拡大し高品質化が可能なことが分かった。今回は、熱処理により結晶化したNiグレインの配向性をX線回折測定により調べたので報告する。