首页> 外文会议>2019年第66回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集 >横方向回折格子を設けたリッジ型半導体レーザーにおけるメサと横方向回折格子との間の領域の高さ/深さの効果
【24h】

横方向回折格子を設けたリッジ型半導体レーザーにおけるメサと横方向回折格子との間の領域の高さ/深さの効果

机译:在具有横向衍射光栅的脊型半导体激光器中,台面和横向衍射光栅之间的区域的高度/深度的影响

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摘要

横方向回折格子を設けたリッジ型半導体レーザーにおいて,メサと横方向回折格子との間の領域の高さ/深さhの効果について調べた.-25 nm ≤ h ≤ 1550 nmにおいて,注入電流 I ≤ 3A の範囲でキンクフリー動作が得られ,h =-25 nmで最大光出力が得られた.
机译:在具有横向衍射光栅的脊型半导体激光器中,研究了台面和横向衍射光栅之间的区域的高度/深度h的影响。在-25 nm≤h≤1550 nm的注入电流I≤3A的范围内获得无扭结操作,并且在h = -25 nm时获得最大光输出。

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