General Plasma, Incorporated, Tucson, AZ;
rnGeneral Plasma, Incorporated, Tucson, AZ;
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机译:理解SiC等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的机理,以及密度函数理论的朝向SiC原子层沉积(ALD)的发展途径
机译:硅太阳能电池等离子体增强化学气相沉积(PECVD)中NH3对原子层沉积(ALD)Al2O3的等离子体氮化
机译:有机硅微波等离子体化学气相沉积(PECVD)涂层中等离子体后反应的固态核磁共振研究。
机译:使用新颖的线性,高密度等离子体源在卷筒纸上增强化学气相沉积(PECVD)
机译:开发用于TFT应用的等离子增强化学气相沉积(PECVD)栅极电介质。
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:射频增强等离子体化学气相沉积(RF pECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性质和沉积速率的影响
机译:通过远程等离子体增强化学气相沉积(远程pECVD)生长的非晶硅合金中缺陷产生的基础研究。年度分包合同报告,1990年9月1日 - 1991年8月31日