Department of Electrical Engineering University of Texas at Tyler, TXc;
Electronics; Modeling and Simulation; semiconductor analysis;
机译:多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物半导体场效应晶体管中跨晶界的导电模型
机译:氧化物厚度波动和局部栅极耗尽对金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压变化的影响
机译:大功率双极型半导体器件的热电模型。第一部分:有缺陷的高频晶体管的模型
机译:半经验硫化镉晶体管模型组合谷物缺陷和半导体厚度变化
机译:半导体纳米材料的合成与表征:硫化铅,硫化镉和碲化镉。
机译:厚度调制半导体到砷中金属跃迁的无掺杂砷异质结构金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:支持和解释mOsavanvés:dispositif FD-sOI,transistor sans jonctions(JLT)ettransistoràcoucheminceàlele-conducteur d'oxyde amorphe。高级mOs器件的电气特性和建模:FD-sOI器件,无结晶体管和非晶氧化物半导体薄膜晶体管
机译:半导体 - 烯烃加合物。丁烯存在下硫化镉和硒化镉的光致发光特性