【24h】

A 9mW, 900-MHz CMOS LNA with 1.05dB-Noise-Figure

机译:具有1.05dB噪声系数的9mW,900MHz CMOS LNA

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摘要

A 900-MHz CMOS Ultra-Low Noise Amplifier (LNA) has been integrated in a 0.35μm RF CMOS process with on-chip inductors. The LNA, housed in a standard TQFP48 package, features: Noise Figure NF=0.9dB with S11=-10.1dB, S22=-27dB, Power Gain Gp=14dB, input IP3=0dBm at Pdc=18mW. A NF=1.05dB is measured at Pdc=9mW. The reported LNA exhibits the best noise or power performance ever reported in CMOS technology.
机译:一个900MHz CMOS超低噪声放大器(LNA)已与0.35μmRF CMOS工艺集成在片上电感器中。 LNA采用标准TQFP48封装,具有以下特点:噪声系数NF = 0.9dB,S11 = -10.1dB,S22 = -27dB,功率增益Gp = 14dB,输入IP3 = 0dBm,Pdc = 18mW。在Pdc = 9mW时测得的NF = 1.05dB。报告的LNA具有CMOS技术中有史以来最好的噪声或功率性能。

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