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A 9mW, 900-MHz CMOS LNA with 1.05dB-Noise-Figure

机译:900W,900-MHz CMOS LNA,具有1.05dB噪音

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摘要

A 900-MHz CMOS Ultra-Low Noise Amplifier (LNA) has been integrated in a 0.35μm RF CMOS process with on-chip inductors. The LNA, housed in a standard TQFP48 package, features: Noise Figure NF=0.9dB with S11=-10.1dB, S22=-27dB, Power Gain Gp=14dB, input IP3=0dBm at Pdc=18mW. A NF=1.05dB is measured at Pdc=9mW. The reported LNA exhibits the best noise or power performance ever reported in CMOS technology.
机译:具有900-MHz CMOS超低噪声放大器(LNA)已集成在0.35μm的RF CMOS工艺中,配内电感器。 LNA安装在标准TQFP48封装中,特点:噪声系数NF = 0.9dB,S11 = -10.1db,S22 = -27db,功率增益GP = 14dB,在PDC = 18MW处输入IP3 = 0dBM。在PDC = 9MW下测量NF = 1.05dB。报告的LNA展示了CMOS技术中遇到的最佳噪声或功率性能。

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