Univ. Halle, FB Physik, Fr.-Bach-Platz 6, D-06108 Halle, Germany;
SiC; annealing; radiation defects; positron annihilation;
机译:1 MeV电子辐照在3C和6H SiC外延层中的硅空位导致的正电子An没
机译:正电子an没光谱研究中子辐照3C-SiC中的空位缺陷
机译:正电子湮没光谱检查中子辐照的3C-SiC中空位缺陷的研究
机译:正电子湮没光谱观察辐照的6H n型SiC的照明效应
机译:三维正电子an没动量测量技术用于测量6H碳化硅中的氧原子缺陷。
机译:通过正电子湮没寿命光谱和椭圆仪孔隙测定研究的开放孔隙率和孔径分布的介孔二氧化硅膜
机译:通过正电子湮没光谱研究电子辐照6H碳化硅的空位
机译:用肖特基势垒的电子轰击测量N型6H siC少数载流子扩散长度