Univ. Grenoble Alpes CEA, LETI, MINATEC Campus, France;
3D sequential integration; NiCo; NiPt FDSOI; salicide;
机译:适用于22nm体PMOS晶体管的HK和MG集成源极和漏极中的高应变SiGe
机译:PMOS输入合并的双极/侧壁MOS晶体管(PBiMOS晶体管)
机译:灵活的喷墨印刷双栅有机薄膜晶体管和PMOS逆变器:顶级噪声控制
机译:NI0.9Co0.1在PMOS晶体管上的第一集成
机译:利用PMOS晶体管降低2.4 GHz接收器中基板噪声的评估。
机译:用于22nm体PMOS晶体管的HK和MG集成了源极和漏极中的高应变SiGe
机译:用于22nm体PMOS晶体管的HK和MG集成了源极和漏极中的高应变SiGe
机译:在极端温度下操作sOI p沟道场效应晶体管CHT-pmOs30