Department of Chemistry and Chemical Biology, Harvard University, Cambridge, MA, USA;
chemical vapor deposition; copper; diffusion barrier; interconnects; manganese; through silicon vias; void-free filling;
机译:通过等离子化学气相沉积控制用于大规模集成(LSI)互连的铜的沉积轮廓
机译:使用物理气相沉积在模制互连设备的液晶聚合物上进行金属沉积
机译:化学气相沉积形成的MnSixOy层在Cu高级互连应用中的扩散阻挡性能
机译:铜锰互连的气相沉积
机译:直接液体蒸发化学气相沉积(DLE-CVD)镍,锰和铜基薄膜,用于三维微电子系统中的互连
机译:使用低温气相陷阱热化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长的Zno微米/纳米结构:结构和光学性质
机译:2162-8769 / 2012/1(5)/N79/6/$28.00©电化学学会化学气相沉积氮化钴及其作为先进铜互连的粘合增强层的应用