International Institute of Information Technology, Hyderabad, India;
Indian Institute of Information Technology, SriCity, Chittoor district, India;
Silicon carbide; Dielectrics; Insulated gate bipolar transistors; High K dielectric materials; Hafnium compounds; Electric fields; Switches;
机译:通过在4H-SiC IGBT中使用高k介电层获得改善的开关特性:基于物理的仿真
机译:使用新型高k电介质叠层获得4H-SiC N-IGBT的改进装置特性:HFO_2-SiO_2-AIN
机译:使用具有超薄SiO2-ALN的高k电介质叠层在4H-SIC MOSFET中获得的改进的装置特性作为界面层
机译:通过在4H-SiC IGBT中使用高k电介质层获得的改进改进的开关特性:基于物理的仿真
机译:开发基于物理的4H-SiC高压功率开关模型-MOSFET,IGBT和GTO。
机译:4H-SIC双沟MOSFET采用分流异质结闸用于改善开关特性
机译:4H-SIC双沟MOSFET采用分流异质结闸,用于改善开关特性