NTT Basic Research Laboratories, Japan;
NTT Basic Research Laboratories, Japan;
NTT Basic Research Laboratories, Japan;
NTT Basic Research Laboratories, Japan;
NTT Basic Research Laboratories, Japan;
Hokkaido University, Japan;
NTT Basic Research Laboratories, Japan;
Erbium; Photonics; Molecular beam epitaxial growth; Fabrication; Silicon; Photonic band gap;
机译:随机取向的单晶氧化锡(IV)纳米带的生长:主要晶体生长轴的控制
机译:[(Y1-xGdx)(0.95)Eu-0.05](2)(OH)(5)NO3中心点nH(2)O(0 <= x <= 0.50)层状稀土氢氧化物:单层和单层剥离-晶体纳米片,高度定向和透明的氧化物膜的组装,并通过Gd3 +掺杂大大增强了红色光致发光
机译:使用RF-MBE的单晶Si在石墨烯上的生长:用ALN界面层的取向控制
机译:光子晶体膜与单晶稀土氧化物,采用单一的选择性地区生长
机译:具有光子晶体镜的单晶硅光学MEMS
机译:单晶锂镍锰钴氧化物阴极的合成与操纵:生长机制综述
机译:晶体稀土基薄膜的生长和表征,用作纳米技术中的栅介质