LNESS and Dipartimento di Scienza dei Materiali dell'Università di Milano-Bicocca, Milano, 20126, Italy;
LNESS and Dipartimento di Scienza dei Materiali dell'Università di Milano-Bicocca, Milano, 20126, Italy;
LNESS and Dipartimento di Scienza dei Materiali dell'Università di Milano-Bicocca, Milano, 20126, Italy;
LNESS and Dipartimento di Scienza dei Materiali dell'Università di Milano-Bicocca, Milano, 20126, Italy;
LNESS and Dipartimento di Scienza dei Materiali dell'Università di Milano-Bicocca, Milano, 20126, Italy;
Gallium arsenide; Nanowires; Molecular beam epitaxial growth; Gallium; Silicon; Substrates;
机译:天然氧化硅层的表面演化及其对自助VLS GaAs纳米线生长的影响
机译:接触角的双稳态及其在实现量子薄自辅GaAs纳米线中的作用
机译:自助生长的InAs / GaAs纳米线的结构,界面突变和应变松弛
机译:自助GaAs纳米线的平顶形成
机译:通过自助分子束外延生长核心壳GaAs / Gaassb纳米线的微光致发光(MU-PL)研究
机译:用于自然-SiOx / Si(111)底物的低温诱导孔形成用于自催化的GaAs纳米线的生长
机译:天然氧化硅层的表面演化及其对自助VLS GaAs纳米线生长的影响