首页> 外文会议>2014 Tenth International Vacuum Electron Sources Conference >Hemispherical-grain polycrystalline silicon films: The dependence of geometric characteristics of grains on formation conditions
【24h】

Hemispherical-grain polycrystalline silicon films: The dependence of geometric characteristics of grains on formation conditions

机译:半球形晶粒多晶硅膜:晶粒的几何特性对形成条件的依赖性

获取原文
获取原文并翻译 | 示例

摘要

The dependences of the main statistical characteristics of the surface (correlation functions, surface-height distribution functions, correlation length, width of interface), average height and lateral size of grains on the formation conditions have been determined by atomic force microscopy for hemispherical-grain polycrystalline silicon Films (HSG-Si). Dependence of grains shape on the deposition temperature and film thickness is found.
机译:表面的主要统计特征(相关函数,表面高度分布函数,相关长度,界面宽度),晶粒的平均高度和横向尺寸对形成条件的依赖性已经通过原子力显微镜确定了半球形晶粒多晶硅膜(HSG-Si)。发现晶粒形状与沉积温度和膜厚度有关。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号