机译:薄膜晶体管特性对(100)取向多晶硅薄膜低角度晶界的依赖性
Hanoi Natl Univ Educ, 136 Xuan Thuy St, Hanoi 10000, Vietnam;
Hiroshima Univ, Res Inst Nanodevice & Bio Syst, 1-4-2 Kagamiyama, Higashihiroshima 7398527, Japan;
机译:晶界对含有大晶粒的低温多晶硅薄膜晶体管中器件特性的温度依赖性和热载流子效应的影响
机译:具有垂直于沟道的位置受控晶界的激光结晶多晶硅氧化硅氮化物氧化硅薄膜晶体管的存储特性
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机译:薄膜太阳能电池具有<100>取向晶粒纹理的多晶硅层
机译:非均匀性对多晶硅硅薄膜(多晶硅,晶界,分布函数,掺杂曲线,TEM)中电阻率建模的影响。
机译:使用H2烧结改善低温多晶硅薄膜晶体管传感器的pH敏感性
机译:亚微米多晶硅薄膜晶体管输出特性对晶界位置依赖性的模拟研究