Dept. of Electron. Comm. Eng., Jamia Millia Islamia, New Delhi, India;
Breakdown voltage; Charge plasma; Lateral BJT; SOI;
机译:选择性掩埋氧化物上的基于高性能电荷等离子体的横向双极晶体管
机译:两区SiGe基极异质结双极电荷等离子体晶体管,适用于下一代模拟和RF应用
机译:对称双极电荷等离子晶体管,带基极,增强性能
机译:基于高性能电荷等离子体的多区横向双极结晶体管
机译:基于多区域电荷的小信号双极结型晶体管模型。
机译:作为后CMOS器件基于石墨烯的横向异质结构晶体管表现出比基于石墨烯的垂直晶体管更好的固有性能
机译:等离子体双极结型晶体管等离子体鞘调制的观察