Center for Integrated Electronics, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY-12180, U.S.A.;
GaN; MOS capacitor; MOSC-HEMT; polarization;
机译:偏振库晶场散射对电子模式P-GaN / AlGan / GaN异质结构场效应晶体管的寄生源性电阻
机译:极化库仑场散射对AlGaN / AlN / GaN异质结构场效应晶体管中高温电子迁移率的影响
机译:极化库仑场散射对应变AlGaN / AlN / GaN异质结构场效应晶体管中低温电子迁移率的影响
机译:热电极化对GaN MOS电容器和场效应晶体管的影响
机译:隧道场效应晶体管的解析模型和GaN高电子迁移率晶体管的实验研究。
机译:AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管中的极化库仑场散射改善了线性度
机译:金属/铁电/半导体电容器和铁电场效应晶体管偏振特性评价
机译:GaN / alGaN场效应晶体管中晶格和热应力的研究