Dept. of Electrical and Computer Engineer, Division of Materials Science and Engineering, Photonics Center, Boston University, Boston, MA, U.S.A.;
III-Nitride devices; dislocations; potential fluctuations; stacking faults; surface states;
机译:扩展缺陷对氮化物半导体中光电器件性能的作用
机译:氮化镓基材料,用于蓝光到紫外光电子器件
机译:轴向接头对光电子装置应用的桨轮Cu(II)配位聚合的影响
机译:氮化物层中的扩展缺陷,对量子阱和量子点的影响
机译:氮化镓基电子和光电器件
机译:III型氮化物数字合金:InN / GaN超短周期超晶格纳米结构的电子和光电特性
机译:基于氮化镓异质结构的光电子和电力电子器件的降解机理