机译:4.2至5.1 GHz UltraLow-Power互补级-B / C混合模式VCO的65-NM CMOS,完全由EDA工具支持
机译:0.07毫米<公式>, src =“ / images / tex / 732.gif” alt =“ ^ {2}”> 公式> 2.2 mW 10 GHz电流重用B / C级实现196-dBc / Hz FoM的混合VCO
机译:采用0.18μmCMOS技术的低噪声,低功耗10GHz VCO设计
机译:开环设计低电压,400 MV,1.3 MW,10 GHz CMOS类-B VCO
机译:在0.13微米CMOS工艺中设计2.4 GHz VCO的比较研究
机译:具有可调范围CMOS延迟锁定环路的亚皮秒抖动设计适用于高速和低功耗应用
机译:开环设计低压,\ ud 400 mV,1.3 mW,10 GHz CMOS B类VCO