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【24h】

Design of Low-Noise, Low-Power 10-GHz VCO Using 0.18-μm CMOS Technology

机译:采用0.18μmCMOS技术的低噪声,低功耗10GHz VCO设计

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摘要

A low-noise, low-power 10-GHz CMOS VCO was developed using cost-effective 0.18-μm CMOS technology. A complementary cross-coupled topology was employed to decrease the power dissipation and phase noise. The fabricated VCO demonstrates a low phase noise of -106 dBc/Hz at an offset frequency of 1 MHz and a low power dissipation of 4.4 mW.
机译:低噪声,低功耗10GHz CMOS VCO使用经济高效的0.18μmCMOS技术开发。采用互补的交叉耦合拓扑来降低功耗和相位噪声。制成的VCO在1 MHz的偏移频率下表现出-106 dBc / Hz的低相位噪声和4.4 mW的低功耗。

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