低功耗2.4GHz 0.18μm CMOS全集成低噪声放大器设计

孔晓明; 黄风义; 王志功; 张少勇

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低功耗2.4GHz 0.18μm CMOS全集成低噪声放大器设计

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我们利用0.18μm CMOS工艺设计了低噪声放大器.所有电感采用片上螺旋电感,全集成在单个芯片上,并实现片内50Ω匹配.本次电路设计分析采用ADS仿真软件,电源电压1V,工作电流8mA,增益为15.4dB,噪声系数2.7dB,线性度指标IIP3为-0.6dB.结论是CMOS工艺在工艺和模型方面的改进,使得CMOS RF电路设计更为精确,可集成度更高.

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来源
《电气电子教学学报》 |2006年第1期|54-56|共3页
作者
孔晓明; 黄风义; 王志功; 张少勇;
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作者单位

东南大学,射频与光电集成电路研究所,江苏,南京,210096;

东南大学,射频与光电集成电路研究所,江苏,南京,210096;

东南大学,射频与光电集成电路研究所,江苏,南京,210096;

东南大学,射频与光电集成电路研究所,江苏,南京,210096;

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正文语种 chi
中图分类低噪声放大器;设计、分析、计算;
关键词
CMOS射频集成电路; 低噪声放大器; 噪声系数;

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