X-ray reflectivity measurement of a iridium coated MEMS optic with atomic layer deposition

机译：具有原子层沉积的铱涂层MEMS光学器件的X射线反射率测量

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We coated a MEMS-based silicon optic with iridium by means of atomic layer deposition. Its X-ray reflectivity is quantitatively measured using a parallel X-ray beam at Al Kα 1.49 keV.

机译：我们通过原子层沉积法在基于MEMS的硅光学器件上涂覆了铱。使用X射线平行光束在AlKα1.49 keV下定量测量其X射线反射率。

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来源
《2012 International Conference on Optical MEMS and Nanophotonics.》|2012年|p.83- 84|共2页
会议地点 Banff(CA)
作者
Ogawa Tomohiro; Ezoe Yuichiro; Mitsuishi Ikuyuki; Kakiuchi Takuya; Moriyama Teppei; Ohashi Takaya; Mitsuda Kazuhisa; Putkonen Matti;
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作者单位

Department of Physics, Tokyo Metropolitan University, 1-1 Minami-Osawa, Hachioji, Tokyo, Japan;

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类光电子技术的应用;
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