Department of Electrical and Electronic Engineering, Bangladesh University of Engineering and Technology, Dhaka, Bangladesh;
机译:基于p-i-n二极管的压缩应变SiGe带间隧穿模型校准及应变SiGe隧穿场效应晶体管的前景
机译:基于p-i-n二极管的压缩应变SiGe带间隧穿模型校准及应变SiGe隧穿场效应晶体管的前景
机译:创新的带间隧道分析模型及其在基于隧道的设备的紧凑建模中的意义
机译:纳米级P-I-N二极管中带带隧穿的紧凑分析模型
机译:低功耗应用的带间隧道晶体管设计和建模。
机译:使用硅p-i-n二极管的环形阵列可定制的具有亚微米灵敏度的X射线荧光光电探测器
机译:基于p-i-n二极管的压缩应变SiGe带间隧穿模型校准及应变SiGe隧穿场效应晶体管的前景