Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium;
机译:高剂量氢注入可增强独立式GaN衬底的晶圆弯曲性能:对GaN层转移应用的意义
机译:表面弯曲对2英寸SiC(0001)晶片重构的影响
机译:SiGe晶片加工过程中转移到Si晶片表面的痕量Ge的分析
机译:基板转移过程的晶圆弓,用于在Si 8英寸上喷枪
机译:直径为0.6英寸的预应力钢绞线在高强度轻质混凝土中的传递和发展长度。
机译:Si(111)衬底上异质外延生长3C-SiC的动力学表面粗糙化和晶圆弯曲控制
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