机译:高剂量氢注入可增强独立式GaN衬底的晶圆弯曲性能:对GaN层转移应用的意义
Max Planck Institute of Microstructure Physics, Weinberg 2, D-06120 Halle, Germany;
机译:通过将Mg离子注入形成在高质量自支撑GaN衬底上的n〜-GaN外延层中形成确定的GaN p-n结
机译:立式GaN基材退火GaN层中植入Mg的原子级定量分析
机译:通过电感耦合等离子体蚀刻调制独立式GaN衬底的晶圆弓形的方法
机译:薄膜层转移应用中氢注入GaN和AlN中起泡现象的研究
机译:微金属应用中通过金属有机气相外延生长在6H-SiC(0001)衬底上的GaN和AlGaN的生长,掺杂和表征。
机译:用于独立式GaN晶片自释放缓冲层的25英寸六角形BN单层膜的大卷生长
机译:使用在独立式GaN衬底上生长的外延n-GaN层实现高稳定性和低态密度Al2O3 / GaN界面
机译:在HpVE生长的模板和自支撑GaN衬底上的N型GaN层的mOCVD生长和蚀刻