Institute of Microelectronics, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China;
机译:无抑制剂的碱性浆料在铜图案化晶圆CMP上的平面化性能
机译:关于FA / O阻挡层浆料对图案化Cu晶片去除速率选择性的优化
机译:一种先进的碱性浆料,用于在已图案化的晶圆上进行化学机械平坦化
机译:通过添加H3PO4实现非选择性屏障浆料及其在图案化晶圆CMP中的应用
机译:钽的CMP,并通过建模了解磨料在阻隔浆料中的作用。
机译:使用预图案化BCB聚合物的RF MEMS应用的晶圆级封装方法
机译:CMP中晶圆与焊盘之间的浆液流动的计算研究:无凹槽,圆形凹槽和径向凹槽的情况(流体工程)