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High-order sideband generation in quantum wells driven by intense THz radiation: Electron-hole recollisions

机译:太赫兹强辐射驱动量子阱中高阶边带的产生:电子空穴碰撞

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摘要

When optically excited excitons in InGaAs quantum wells are driven by an intense THz field, electron-hole recollisions occur and sidebands of up to 18th order are observed.
机译:当InGaAs量子阱中的光激发激子由强太赫兹场驱动时,会发生电子空穴碰撞,并观察到高达18阶的边带。

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