首页> 外文会议>Conference on Lasers and Electro-Optics >High-order sideband generation in quantum wells driven by intense THz radiation: Electron-hole recollisions
【24h】

High-order sideband generation in quantum wells driven by intense THz radiation: Electron-hole recollisions

机译:通过激烈的THz辐射驱动的量子孔中的高阶边带生成:电子孔再装

获取原文

摘要

When optically excited excitons in InGaAs quantum wells are driven by an intense THz field, electron-hole recollisions occur and sidebands of up to 18th order are observed.
机译:当InGaAs量子阱中的光学激发激发器被强烈的THz场驱动时,观察到最多18阶的电子空穴回收和边带。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号