机译:硅通孔(TSV)附近的特殊沟槽设计可减少用于三维集成电路中的保留区
机译:用于三维堆叠集成电路(3D-SIC)架构的铜硅通孔(TSV)的工艺评估和附着力评估
机译:通过在硅通孔附近优化的新型沟槽结构,将保留区减少了约10倍,从而可用于3D集成电路
机译:ESD保护装置放置在3D堆叠集成电路中通过硅通孔通孔(TSV)的静止区域(KOZ)
机译:新型基于硅的可控整流器(SCR)的器件的设计,表征和紧凑模型,用于集成电路中的静电放电(ESD)保护应用。
机译:三维集成电路(3D IC)关键技术:硅通孔(TSV)
机译:应力驱动的3D-IC放置与TsV保持区和规律性研究
机译:终端保护装置与基本集成电路相结合的环境测试