Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate RD Center, Toshiba Corporation, 8 Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama 235-8522, Japan,;
机译:考虑器件几何结构的Trigate纳米线MOSFET自热效应的实验研究
机译:应变和非应变SOI三栅极和Ω栅极硅纳米线MOSFET中载流子传输的研究
机译:H_2O_2处理对溶胶-凝胶生长的MoS_2 / Si纳米线/ Si器件载流子传输和温度特性的影响
机译:考虑装置几何和载波运输,系统理解三栅极纳米线MOSFET中的自热效应
机译:在纳米级增强模式三栅极III-V MOSFET中建模量子和库仑效应
机译:P型门 - 全面硅纳米线MOSFET的低温传输特性
机译:对自加热效应的洞察及其对硅纳米管的热载体降解的影响,对基于硅 - 纳米管的双栅 - 全面(DGAA)MOSFET