Dipartimento di Elettronica Informatica e Sistemistica - University of Bologna, 40136 Bologna, Italy;
Electron Device Model; GaN-based Device; Low-Frequency Dispersion; Measurement Setup;
机译:包含色散效应的精确GaN HEMT非准静态大信号模型
机译:使用神经空间映射为功率晶体管的准确大信号建模
机译:封装中LDMOSFET晶体管的精确大信号特性
机译:GaN基晶体管的大信号表征,用于准确的分散效应非线性建模
机译:磷化铟镓/砷化镓HBT中的大信号建模和高电流效应的表征。
机译:贝叶斯非线性混合效应回归模型表征结核病药物的早期杀菌活性
机译:流线型功率放大器设计的模块化非线性表征系统和无匹配晶体管的大信号行为建模
机译:利用有源负载牵引测量系统对毫米波晶体管进行大信号表征