Electroinformatics Group Nanoelectronics Research Institute National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki, 305-8568 Japan;
double-gate; MOSFET; compact model; capacitance;
机译:量子电容极限下DG和UTBB MOSFET的反向栅极电容的解析模型
机译:薄膜非掺杂对称DG MOSFET的漏极电流,电容和跨导建模,包括量子效应
机译:DG-MOSFET栅极侧壁电容的紧凑模型
机译:四端子DG MOSFET的电容模型
机译:DG MOSFET接近阈值IV特性的非GCA建模
机译:具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
机译:具有位置载波散射依赖性的准弹出电流,电荷和电容模型,用于纳米级别的对称DG MOSFET有效
机译:具有非抛物效应的砷化物 - 锑化物量子阱中量子和质心电容的实验测定