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机译:双栅(DG)SOI比例逻辑,固有DG-MOSFET负载
公开/公告号US7180135B1
专利类型
公开/公告日2007-02-20
原文格式PDF
申请/专利权人 DIMITRIS E. IOANNOU;SOUVICK MITRA;AKRAM SALMAN;
申请/专利号US20040951695
发明设计人 SOUVICK MITRA;AKRAM SALMAN;DIMITRIS E. IOANNOU;
申请日2004-09-29
分类号H01L27/01;
国家 US
入库时间 2022-08-21 21:00:27
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