LG Semicon Co., Ltd. Hyangjeong-dong, Hungduk-gu, Cheongju-si, 361-725, Korea;
机译:DRAM奥德赛:从千字节到千兆字节甚至更多
机译:具有数据总线窗口延长技术的16 GB 640-GB / S HBM2E DRAM和协同末端ECC方案
机译:具有按位可训练的单端DFE和PLL少时钟的16Gb,18Gb / s / pin GDDR6 DRAM
机译:用于1GB DRAM的完全集成和功能44nm DRAM技术
机译:DRAM / eDRAM和3D-DRAM的省电方法,利用工艺变化,温度变化,设备降级和内存访问工作负载变化,以及使用具有服务质量的3D-DRAM的创新的异构存储管理方法。
机译:用于低延迟和低功耗3D堆叠DRAM的DRAM中缓存管理
机译:1-Gb DRam的特定级别光刻优化
机译:项目Gasbuggy Hole Histories-Gb-E-Gb-E-R-Gb-1- Gb-2R-Gb-2Rs-Gb-D-Gb-10-36-Gb-2